单片机IO口阻抗是多少？

➤ 01背景

在 电子小帮手电路中电源开关电路分析[1] 中介绍测量模块电路实验原理的时候，对于ATmega系列的 单片机的输出端口进行了内部描述[2] 。特别是对于端口做为IO输出口的时候，它可以等效为通过电阻19Ω和22Ω分别上拉到VCC，或者下拉的GND。

▲ ATMEGA单片机IO口等效电路

那么就会出现一个新的问题，对于ATmega单片机，这个IO口的内阻究竟有多大呢？

通过实验来确定单片机输出IO口的实际电阻阻值，这为将来使用单片机进行测量工作提供数据基础。

利用在 ATMEGA8 DIP-28面包板实验[3] 中可以下载程序的实验方式，对于ATmega8单片机搭建在面包板上的测试芯片。通过实验来测量对应的IO端口在作为输出端时相对于GND，VCC的电阻阻抗。

➤ 02测量方案

1.测量端口电阻

测量电阻阻抗的方式可以通过以下三种方式来进行：

2.测量过程

通过软件编程，使得单片机的PB4,PB3,PB2,PB1分别处于输出高电平，和输出低电平的情况，然后按照上面三种方法来测量对于端口的内部等效阻抗。

▲ ATMEGA8 DIP-28封装

➤ 03测量数据 1.使用V-A方法测量IO内阻 (1) IO低电平内阻

▲ 测量电路图示意图

使用在 低价电阻箱-阻值测试[4] 中的9999Ω电阻箱，分别改变IO端口的输出负载，记录不同电阻下输出端口的电压，进而可以进行获得内部电阻。

Current(mA) 3.068900 1.900500 1.376000 1.078700 0.889500 0.754900 0.655700 0.579500 0.519100 Voltage(V) 0.086651 0.055485 0.041959 0.034435 0.029279 0.025946 0.023526 0.021161 0.019959

▲ 端口电流与电压

通过线性拟合，可以建立输入电流（i，单位mA）与端口电压之间的线性关系。

通过上述线性方程，可以得到端口的输入电阻为：

(2) IO高电平内阻

测量不同输出电流下输出电压的变化。

Current(mA) 3.066000 1.897700 1.373900 1.077000 0.888000 0.753500 0.654500 0.578400 0.518200 Voltage(V) 0.077972 0.050410 0.038025 0.031065 0.026657 0.023490 0.021160 0.019415 0.018024

▲ 端口电压与电流

对上述电压电流线性拟合：

由此可以得到单片机高电平下输出内阻大约为：

通过实际测量，可以看到ATmega的IO口在输出状态下，内阻分别是26.15Ω（低电平）以及23.56Ω（高电平）。

2.使用万用表测量IO内阻

使用DM3068数字万用表，直接测量ATmega的输出低电平的IO对GND之间的电阻：

测量ATmega8输出高电平的IO对VCC（+5V）之间的直流电阻：

注意：由于存在输出静态电压，不能够测量输出高电平的IO对GND之间的电阻，或者输出低电平IO对VCC之间的电阻。

3.使用LCR表测量IO内阻

为了避免单片机端口的静态电压对于LCR表的测量影响，使用100uF的电解电容进行隔直之后，然后在使用Smart Tweezers进行测量相应端口的内阻。

▲ 使用隔直电容之后测量端口的内阻

低电平IO内阻：

高电平IO内阻：

➤ ※ 结论

单片机的IO如果作为输出端口，它可以等效一个内部穿有内阻的电压源。由于它内部是通过MOS管完成IO端口与VCC,GND的相连，所以内阻实际上是这些MOS管导通内阻。

通过对ATmega8单片机端口的内阻测量，可以看到这些内阻的大小在20欧姆到30欧姆之间。这与它的数据手册上相关的数值基本上是在同一数量级之内。

上文中使用了三种方法测量单片机IO口的内阻，它们的取值基本相似。因此上，在未来实际上应用中，可以根据具体情况来选择相应的测量方式。

参考资料

[1]

电子小帮手电路中电源开关电路分析 : https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109242259

[2]

单片机的输出端口进行了内部描述 : https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109238622

[3]

ATMEGA8 DIP-28面包板实验 : https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109245968

[4]

低价电阻箱-阻值测试 : https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/107112157

单片机IO口驱动，为什么一般都选用三极管而不是MOS管？

文章转载自公众号：硬件笔记本

这里其实有两个问题：

1.单片机为什么不直接驱动负载？

2.单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？

图1

答：

1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。

2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？需要了解三极管和MOS管的区别，如下：

①三极管是电流控制型，三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。

②MOS管是电压控制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）才能正常导通，不同MOS管的阈值电压是不一样的，一般为3-5V左右，饱和驱动电压可在6-8V。

我们再来看实际应用：

处理器一般讲究低功耗，供电电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它的I/O最高电压也就是3.3V。

①直接驱动三极管

3.3V电压肯定是大于Ube的，所以直接在基极串联一个合适的电阻，让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=（VO-0.7V）/R2。

图2 驱动三极管示意图

②驱动MOS管

通过前面也了解到，MOS管的饱和电压>3.3V，如果用3.3V来驱动的话，很可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通状态。

在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就烧坏了。

所以，一般选择I/O口直接控制三极管，然后再控制MOS管。

图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管

当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。

当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。

为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？

那是因为三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。

图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管

当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。

当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。

为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？

那是因为三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。

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