单片机驱动电脑单片机直接驱动MOS管？这些风险你要了解|设计与开发|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

单片机直接驱动MOS管？这些风险你要了解

用单片机驱动MOS管。

如果这时候用一个数字逻辑器件或者是单片机来控制MOS管，这是个功率MOS。假设这时候接一个负载，这时候q1可以给负载提供20安的电流。在如此大电流的情况下，会有一些同学想到因为MOS管的栅极电流需求很小，只是一个皮安级别的电流。

那就可以用个普通的数字逻辑器件，比如它是一个五伏的这样的器件，它的输出电流是正负一毫安，这是它最大的输出电流的能力。这样来看用一个毫安级别的输出来推动一个皮安级别的MOS管的输入完全是可以的。

但是这样子行不行的通？我们知道一个普通的功率MOS反馈电容crss随随便便就会有300皮法，尽管这时候可能信号源、信号输入频率不高，但是你想想看一个1毫安的电流来给300皮法的电容充电，这时候它的延时至少是10微秒以上。有兴趣的同学可以自己算一下，比较简单。

这样的输入与输出的延时，你所设计的产品到底能不能接受？如果这时候数字逻辑器件的供电的电压是十伏，那么它从0到10伏之间的这一段充电的时间可能会去到20微秒，这样的电路性能就会大打折扣，甚至在一些严格的场合里面是不能够这样用的。

同时这种普通的逻辑器件与一个功率MOS管来搭配还会有一个致命的问题，因为MOS管的寄生电容非常大，在一个特定的交流信号驱动的前提下，它的栅极电流是会动态变化的。

假设数字逻辑器件还有它的状态发生了改变，而且是在改变的过程当中，这时候的寄生电容如果有回流的电流，那么从栅极流向逻辑器件的时候就有可能损坏这个器件，所以这是其中的一种风险。

因为我们知道普通的功率的三极管，在驱动大电流的时候，比如10-20安的时候，这时候基极的驱动电流最小也需要500毫安左右。尽管这时候它的寄生电容也不小，但是由于基极的驱动电流比较大，所以它整体的输入与输出转换的速率就会比这种功率mos要快很多。

我们看到单片机IO驱动MOS管，一般都不会看到单片机直接驱动MOS管，更多时候单片机驱动MOS管是加入三极管来进行驱动。

不过，有些时候，单片机也可以直接驱动MOS管。

MOS管&单片机

MOS管是电压驱动型元件，MOS管在驱动电路时，驱动电压达不到导通维持电压（Vgs)，MOS管就不能实现稳定、可靠的导通。

单片机的工作电压一般为3.3V或5V，有一定的带负载能力，然而I/O口输出的驱动电压幅度较小，电流很小，驱动能力有限。对于一些小功率MOS管，如果单片机IO的驱动电压合适，可以直接驱动MOS管的。

但一般情况下，MOS管的开启驱动电压为3V~5V左右（不同型号MOS管驱动电压不同）。在驱动小电流负载情况下单片机可以直接驱动MOS管，但是大电流负载就不行了。由于内阻大，功耗过大，直接驱动很容易造成MOS管烧毁。因此，可以在I/O口输出端增加三极管，进行驱动MOS管。

三极管是电流型的驱动器件，只要给三极管的基极提供驱动电流就可以导通，再通过三极管的集电极给MOS管提供驱动电压。

例如，当单片机输出高电平时，三极管导通，NMOS的G极为低电平，NMOS截止关断；单片机输出低电平时，三极管截止，G极为高电平，NMOS导通。这样可以有效的避免单片机输出的电平无法满足VTH的情况。

当然，有时候除了使用三极管之外，我们还可以使用光耦等器件。