基于单片机EEPROM解析
在实际的应用中,保存在单片机 RAM 中的数据,掉电后就丢失了,保存在单片机的FLASH 中的数据,又不能随意改变,也就是不能用它来记录变化的数值。
但是在某些场合,我们又确实需要记录下某些数据,而它们还时常需要改变或更新,掉电之后数据还不能丢失,比如我们的家用电表度数,电视机里边的频道记忆,一般都是使用 EEPROM 来保存数据,特点就是掉电后不丢失。我们板子上使用的这个器件是 24C02,是一个容量大小是 2Kbits,也就是 256 个字节的 EEPROM。一般情况下,EEPROM 拥有 30 万到 100 万次的寿命,也就是它可以反复写入 30-100 万次,而读取次数是无限的。
24C02 是一个基于 I2C 通信协议的器件,因此从现在开始,我们的 I2C 和我们的 EEPROM就要合体了。但是大家要分清楚,I2C 是一个通信协议,它拥有严密的通信时序逻辑要求,而 EEPROM 是一个器件,只是这个器件采样了 I2C 协议的接口与单片机相连而已,二者并没有必然的联系,EEPROM 可以用其它接口,I2C 也可以用在其它很多器件上。
单片机中的EEPROM是什么
【1. EEPROM的概述】
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种可通过电擦除的可编程只读存储器。与普通的随机存储器(RAM)相比,EEPROM具有非易失性,即当断电或重新启动系统时,其中的数据仍然会被保留。
1.1 非易失性存储器的类型
非易失性存储器可分为多种类型,如EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)、EEPROM和闪存(Flash Memory)。它们的主要区别在于擦除方法的不同。EPROM需要使用紫外线擦除,而EEPROM可以通过电擦除,而闪存则支持批量擦除。
1.2 EEPROM的特点
EEPROM相对于EPROM和闪存具有一些特点:
- 可编程性: EEPROM允许通过编程操作修改其中存储的数据。
- 擦除操作: EEPROM可以通过特定的命令进行擦除,以擦除整个存储器或特定的存储单元。
- 存储密度: EEPROM的存储密度通常比EPROM更高,但比闪存低。
【2. EEPROM的工作原理】
EEPROM由一系列存储单元组成,每个存储单元可以存储一个或多个位的数据。通常,一位数据被存储为一个字节。EEPROM的每个存储单元类似于一个开关,可以存储两个状态:逻辑0或逻辑1。
2.1 EEPROM的存储单元
EEPROM的存储单元由一对相互倒置的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)组成。这两个MOSFET分别被称为浮栅MOSFET和传输MOSFET。当浮栅MOSFET的栅极电势发生变化时,传输MOSFET的导通特性也会发生变化,从而实现数据的存储和读取。
2.2 编程和擦除操作
编程和擦除是EEPROM的重要操作。 编程操作用于将数据写入存储器的特定单元,而擦除操作用于将存储器的特定单元恢复为初始状态。
在编程操作中,存储单元的栅极电势被调整以捕获所需的数据。 这通常涉及将电荷注入浮栅MOSFET中,以改变其电势。
而在擦除操作中,整个EEPROM芯片或特定的存储单元被擦除为逻辑0。擦除操作涉及将浮栅MOSFET中的电荷释放或移除,以返回其初始状态。
【3. 单片机中使用EEPROM】
在单片机中,EEPROM经常被用来存储诸如配置参数、用户设置、校准数据等需要长期保存的信息。
3.1 EEPROM的读取操作
读取EEPROM中的数据通常包含以下步骤:
- 调用相应的指令: 单片机提供了特定的指令用于读取EEPROM中的数据。这些指令可以直接访问特定地址的存储单元,将其数据加载到CPU的寄存器中。
- 指定地址: 通过提供地址,指令能够确定需要读取的存储单元。
- 读取数据: 一旦地址被指定,指令将读取对应存储单元中的数据,并将其返回给CPU。
3.2 EEPROM的编程和擦除操作
编程和擦除EEPROM的操作通常需要使用特定的编程和擦除指令。这些指令在单片机的编程手册中有详细的说明。
一般情况下,编程操作的步骤包括:
- 提供地址: 指定需要进行编程的存储单元的地址。
- 提供数据: 将要存储的数据提供给EEPROM。
- 触发编程: 通过发送编程指令,开始将数据编程到指定的存储单元。
擦除操作的步骤包括:
- 指定地址: 指定需要执行擦除操作的存储单元的地址。
- 触发擦除: 发送擦除指令,开始擦除存储单元。
需要注意的是,EEPROM的编程和擦除操作通常需要一定的时间,因此在进行这些操作时,需要考虑执行时间和系统的稳定性。
最后
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